UGB8JT-E3/81 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division UGB8JT-E3/81

UGB8JT-E3/81

Үлкейту

Тек анықтама үшін

Бөлшек нөмірі	UGB8JT-E3/81
LIXINC Part #	UGB8JT-E3/81
Өндіруші	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Санат	дискретті жартылай өткізгіш › диодтар - түзеткіштер - жалғыз
Сипаттама	DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Өміршеңдік кезең	Белсенді
RoHS	RoHS ақпараты жоқ
EDA/CAD үлгілері	UGB8JT-E3/81 ПХД ізі және таңбасы
Қоймалар	АҚШ, Еуропа, Қытай, Гонконг САР
Болжалды жеткізу	Oct 27 - Oct 31 2024(Жылдам жеткізуді таңдаңыз)
Кепілдік	1 жылға дейін [Шектеулі-кепілдік]*
Төлем
Жеткізілім

UGB8JT-E3/81 Техникалық сипаттамалар

Бөлшек нөмірі:	UGB8JT-E3/81
Бренд:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Өміршеңдік кезең:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Санат:	дискретті жартылай өткізгіш
Ішкі санат:	диодтар - түзеткіштер - жалғыз
Өндіруші:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
сериясы:	-
пакет:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
бөлігінің күйі:	Active
диод түрі:	Standard
кернеу - тұрақты ток кері (vr) (макс):	600 V
ағымдағы - орташа түзетілген (io):	8A
кернеу - алға (vf) (max) @ егер:	1.75 V @ 8 A
жылдамдық:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
кері қалпына келтіру уақыты (trr):	50 ns
ток - кері ағып кету @ vr:	30 µA @ 600 V
сыйымдылық @ vr, f:	-
монтаждау түрі:	Surface Mount
қаптама / қорап:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
жеткізуші құрылғы пакеті:	TO-263AB
жұмыс температурасы – түйісу:	-55°C ~ 150°C

Жылы кеңестер: Төмендегі пішінді толтырыңыз. Біз сізге мүмкіндігінше тезірек хабарласамыз.

Lixinc сізге ең бәсекеге қабілетті бағаларды ұсынады, баға ұсыныстарын қараңыз.

[email protected]

LIXINC

Хат жіберу

Толық ақпарат алу үшін бізге хабарласыңыз.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015