VS-10ETF12-M3 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-10ETF12-M3

VS-10ETF12-M3

Үлкейту

Тек анықтама үшін

Бөлшек нөмірі	VS-10ETF12-M3
LIXINC Part #	VS-10ETF12-M3
Өндіруші	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Санат	дискретті жартылай өткізгіш › диодтар - түзеткіштер - жалғыз
Сипаттама	DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC
Өміршеңдік кезең	Белсенді
RoHS	RoHS ақпараты жоқ
EDA/CAD үлгілері	VS-10ETF12-M3 ПХД ізі және таңбасы
Қоймалар	АҚШ, Еуропа, Қытай, Гонконг САР
Болжалды жеткізу	Oct 24 - Oct 28 2024(Жылдам жеткізуді таңдаңыз)
Кепілдік	1 жылға дейін [Шектеулі-кепілдік]*
Төлем
Жеткізілім

VS-10ETF12-M3 Техникалық сипаттамалар

Бөлшек нөмірі:	VS-10ETF12-M3
Бренд:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Өміршеңдік кезең:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Санат:	дискретті жартылай өткізгіш
Ішкі санат:	диодтар - түзеткіштер - жалғыз
Өндіруші:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
сериясы:	-
пакет:	Tube
бөлігінің күйі:	Active
диод түрі:	Standard
кернеу - тұрақты ток кері (vr) (макс):	1200 V
ағымдағы - орташа түзетілген (io):	10A
кернеу - алға (vf) (max) @ егер:	1.33 V @ 10 A
жылдамдық:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
кері қалпына келтіру уақыты (trr):	310 ns
ток - кері ағып кету @ vr:	100 µA @ 1200 V
сыйымдылық @ vr, f:	-
монтаждау түрі:	Through Hole
қаптама / қорап:	TO-220-2
жеткізуші құрылғы пакеті:	TO-220AC
жұмыс температурасы – түйісу:	-40°C ~ 150°C

Жылы кеңестер: Төмендегі пішінді толтырыңыз. Біз сізге мүмкіндігінше тезірек хабарласамыз.

Lixinc сізге ең бәсекеге қабілетті бағаларды ұсынады, баға ұсыныстарын қараңыз.

[email protected]

LIXINC

Хат жіберу

Толық ақпарат алу үшін бізге хабарласыңыз.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015