MJD122T4G | Rochester Electronics MJD122T4G | MJD122T4G Inventory, Best Pricing

MJD122T4G

Үлкейту

Тек анықтама үшін

Бөлшек нөмірі	MJD122T4G
LIXINC Part #	MJD122T4G
Өндіруші	Rochester Electronics
Санат	дискретті жартылай өткізгіш › транзисторлар – биполярлы (bjt) – жалғыз
Сипаттама	POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 8A, 10
Өміршеңдік кезең	Белсенді
RoHS	RoHS ақпараты жоқ
EDA/CAD үлгілері	MJD122T4G ПХД ізі және таңбасы
Қоймалар	АҚШ, Еуропа, Қытай, Гонконг САР
Болжалды жеткізу	Oct 27 - Oct 31 2024(Жылдам жеткізуді таңдаңыз)
Кепілдік	1 жылға дейін [Шектеулі-кепілдік]*
Төлем
Жеткізілім

MJD122T4G Техникалық сипаттамалар

Бөлшек нөмірі:	MJD122T4G
Бренд:	Rochester Electronics
Өміршеңдік кезең:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Санат:	дискретті жартылай өткізгіш
Ішкі санат:	транзисторлар – биполярлы (bjt) – жалғыз
Өндіруші:	Rochester Electronics
сериясы:	-
пакет:	Bulk
бөлігінің күйі:	Active
транзистор түрі:	NPN - Darlington
ток - коллектор (ic) (макс):	8 A
кернеу - коллектор эмиттерінің бұзылуы (макс):	100 V
vce қанықтылығы (макс) @ ib, ic:	4V @ 80mA, 8A
ток - коллектордың үзілуі (макс):	10µA
тұрақты ток күшеюі (hfe) (мин) @ ic, vce:	1000 @ 4A, 4V
қуат - макс:	1.75 W
жиілік – ауысу:	4MHz
Жұмыс температурасы:	-65°C ~ 150°C (TJ)
монтаждау түрі:	Surface Mount
қаптама / қорап:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
жеткізуші құрылғы пакеті:	DPAK

Жылы кеңестер: Төмендегі пішінді толтырыңыз. Біз сізге мүмкіндігінше тезірек хабарласамыз.

Lixinc сізге ең бәсекеге қабілетті бағаларды ұсынады, баға ұсыныстарын қараңыз.

[email protected]

LIXINC

Хат жіберу

Толық ақпарат алу үшін бізге хабарласыңыз.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015