MB85R256GPF-G-BND-ERE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. MB85R256GPF-G-BND-ERE1 | MB85R256GPF-G-BND-ERE1 Inventory, Best Pricing

MB85R256GPF-G-BND-ERE1

Үлкейту

Тек анықтама үшін

Бөлшек нөмірі	MB85R256GPF-G-BND-ERE1
LIXINC Part #	MB85R256GPF-G-BND-ERE1
Өндіруші	Fujitsu Electronics America, Inc.
Санат	интегралдық схемалар › жады
Сипаттама	IC FRAM 256KBIT PARALLEL
Өміршеңдік кезең	Белсенді
RoHS	RoHS ақпараты жоқ
EDA/CAD үлгілері	MB85R256GPF-G-BND-ERE1 ПХД ізі және таңбасы
Қоймалар	АҚШ, Еуропа, Қытай, Гонконг САР
Болжалды жеткізу	Oct 26 - Oct 30 2024(Жылдам жеткізуді таңдаңыз)
Кепілдік	1 жылға дейін [Шектеулі-кепілдік]*
Төлем
Жеткізілім

MB85R256GPF-G-BND-ERE1 Техникалық сипаттамалар

Бөлшек нөмірі:	MB85R256GPF-G-BND-ERE1
Бренд:	Fujitsu Electronics America, Inc.
Өміршеңдік кезең:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Санат:	интегралдық схемалар
Ішкі санат:	жады
Өндіруші:	Fujitsu Electronics America, Inc.
сериясы:	-
пакет:	Tape & Reel (TR)
бөлігінің күйі:	Obsolete
жад түрі:	Non-Volatile
жад форматы:	FRAM
технология:	FRAM (Ferroelectric RAM)
жад көлемі:	256Kb (32K x 8)
жад интерфейсі:	Parallel
тактілік жиілік:	-
жазу циклінің уақыты – сөз, бет:	150ns
қол жеткізу уақыты:	150 ns
кернеу – қоректендіру:	2.7V ~ 3.6V
Жұмыс температурасы:	-40°C ~ 85°C (TA)
монтаждау түрі:	-
қаптама / қорап:	-
жеткізуші құрылғы пакеті:	-

Жылы кеңестер: Төмендегі пішінді толтырыңыз. Біз сізге мүмкіндігінше тезірек хабарласамыз.

Lixinc сізге ең бәсекеге қабілетті бағаларды ұсынады, баға ұсыныстарын қараңыз.

[email protected]

LIXINC

Хат жіберу

Толық ақпарат алу үшін бізге хабарласыңыз.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015